BSP318S

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.09Ω/Ohm @2.6A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.8W Description & Applications| SIPMOS ®Small-Signal-Transistor • N-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • Logic Level • dv/dt rated 描述与应用| SIPMOS®小信号 •N沟道 •增强模式 •额定雪崩 •逻辑电平 •dv / dt的额定