BSM50GD120DN2

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BSM50GD120DN2概述

INFINEON  BSM50GD120DN2  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

The is an IGBT Low Power Module with fast free wheel diodes and insulated metal base plate.

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3-phase Full bridge
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100ns Rise time
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100ns Fall time
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±20V Gate-emitter voltage

立创商城:
BSM50GD120DN2


安富利:
Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 72A 17-Pin EconoPACK 2A


TME:
IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:50A; P:350W; Ifsm:100A


儒卓力:
**6-PACK 1200V 72A EconoPACK2 **


BSM50GD120DN2中文资料参数规格
技术参数

额定功率 350 W

针脚数 17

极性 N-Channel

耗散功率 350 W

工作温度Max 125 ℃

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 17

封装 EconoPACK2

外形尺寸

封装 EconoPACK2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

包装方式 Box

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSM50GD120DN2
型号: BSM50GD120DN2
描述:INFINEON  BSM50GD120DN2  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK
替代型号BSM50GD120DN2
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完全替代

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