INFINEON BSM50GD120DN2 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK
The is an IGBT Low Power Module with fast free wheel diodes and insulated metal base plate.
立创商城:
BSM50GD120DN2
安富利:
Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 72A 17-Pin EconoPACK 2A
TME:
IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:50A; P:350W; Ifsm:100A
儒卓力:
**6-PACK 1200V 72A EconoPACK2 **
额定功率 350 W
针脚数 17
极性 N-Channel
耗散功率 350 W
工作温度Max 125 ℃
安装方式 Screw
引脚数 17
封装 EconoPACK2
封装 EconoPACK2
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Not Recommended for New Design
包装方式 Box
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSM50GD120DN2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSM50GD120DLC 英飞凌 | 完全替代 | BSM50GD120DN2和BSM50GD120DLC的区别 |
BSM50GD120DN2G 英飞凌 | 功能相似 | BSM50GD120DN2和BSM50GD120DN2G的区别 |