OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 14A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
得捷:
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 14A DSO-8
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
额定电压DC 30.0 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 0.0043 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.2 V
输入电容 5.53 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 7.4 ns
输入电容Ciss 5530pF @15VVds
额定功率Max 1.56 W
下降时间 7.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-DSO-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 PG-DSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSO052N03S Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS8817NZ 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSO052N03S和FDS8817NZ的区别 |
IRF8736PBF 英飞凌 | 功能相似 | BSO052N03S和IRF8736PBF的区别 |