NXP BCP56-10,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
General description
NPN medium power transistor series.
Features
High current
Two current gain selections
High power dissipation capability
Applications
Linear voltage regulators
Low-side switches
MOSFET drivers
Amplifiers
得捷:
TRANS NPN 80V 1A SOT223
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
富昌:
BCP56 Series 80 V 1 A SMT NPN Medium Power Transistor - SOT-223
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
Newark:
# NXP BCP56-10,115 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223
Win Source:
TRANS NPN 80V 1A SOT223
频率 180 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 640 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 960 mW
直流电流增益hFE 63
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 960 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BCP56-10,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP56-10 恩智浦 | 完全替代 | BCP56-10,115和BCP56-10的区别 |
BCP56-10,135 恩智浦 | 完全替代 | BCP56-10,115和BCP56-10,135的区别 |
BCP56,115 恩智浦 | 类似代替 | BCP56-10,115和BCP56,115的区别 |