BCP56-10,115

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BCP56-10,115概述

NXP  BCP56-10,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

General description

NPN medium power transistor series.

Features

High current

Two current gain selections

High power dissipation capability

Applications

Linear voltage regulators

Low-side switches

MOSFET drivers

Amplifiers


得捷:
TRANS NPN 80V 1A SOT223


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


富昌:
BCP56 Series 80 V 1 A SMT NPN Medium Power Transistor - SOT-223


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Newark:
# NXP  BCP56-10,115  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223


Win Source:
TRANS NPN 80V 1A SOT223


BCP56-10,115中文资料参数规格
技术参数

频率 180 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 640 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 960 mW

直流电流增益hFE 63

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 960 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BCP56-10,115
型号: BCP56-10,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BCP56-10,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
替代型号BCP56-10,115
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