BFT25,215

BFT25,215图片1
BFT25,215图片2
BFT25,215图片3
BFT25,215图片4
BFT25,215图片5
BFT25,215图片6
BFT25,215图片7
BFT25,215图片8
BFT25,215图片9
BFT25,215图片10
BFT25,215概述

晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE

RF NPN 5V 6.5mA 2.3GHz 30mW 表面贴装型 TO-236AB(SOT23)


得捷:
RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB


贸泽:
射频RF双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE


艾睿:
Your circuit will operate at higher RF frequencies with this BFT25,215 RF amplifier from NXP Semiconductors. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 5V 0.0065A 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 5V 0.0065A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  BFT25,215  Bipolar - RF Transistor, Wideband, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE


RfMW:
Transistor


BFT25,215中文资料参数规格
技术参数

频率 2300 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 30 mW

击穿电压集电极-发射极 5 V

最小电流放大倍数hFE 20 @1mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 20

额定功率Max 30 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 30 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFT25,215
型号: BFT25,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE
替代型号BFT25,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BFT25,215

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BFS17P

英飞凌

类似代替

BFT25,215和BFS17P的区别

BFS20,235

恩智浦

类似代替

BFT25,215和BFS20,235的区别

BFT92T/R

恩智浦

类似代替

BFT25,215和BFT92T/R的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台