晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE
RF NPN 5V 6.5mA 2.3GHz 30mW 表面贴装型 TO-236AB(SOT23)
得捷:
RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB
贸泽:
射频RF双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE
艾睿:
Your circuit will operate at higher RF frequencies with this BFT25,215 RF amplifier from NXP Semiconductors. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C.
安富利:
Trans GP BJT NPN 5V 0.0065A 3-Pin TO-236AB T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 5V 0.0065A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP BFT25,215 Bipolar - RF Transistor, Wideband, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE
RfMW:
Transistor
频率 2300 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 30 mW
击穿电压集电极-发射极 5 V
最小电流放大倍数hFE 20 @1mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 20
额定功率Max 30 mW
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 30 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BFT25,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
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