N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
N 通道 JFET,
### JFET
一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
得捷:
JFET N-CH 20V 30MA SOT23
欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
艾睿:
This BF511,215 JFET transistor from NXP Semiconductors is an uni-polar voltage-controlled device that has a very high input electrical resistance. Its maximum power dissipation is 250 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.
安富利:
Trans JFET N-CH 20V 30mA 3-Pin TO-236AB T/R
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 20V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 20V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP BF511,215 RF FET Transistor, 20 V, 7 mA, 250 mW, SOT-23
RfMW:
Transistors
DeviceMart:
JFET N-CHAN 20V SOT-23
频率 100 MHz
额定电流 30 mA
击穿电压 20.0 V
极性 N-Channel
耗散功率 250 mW
漏源极电压Vds 20 V
测试电流 5 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
额定电压 20 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BF511,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BF512,215 恩智浦 | 完全替代 | BF511,215和BF512,215的区别 |
BF556A,215 恩智浦 | 类似代替 | BF511,215和BF556A,215的区别 |
BF556B,215 恩智浦 | 类似代替 | BF511,215和BF556B,215的区别 |