BF511,215

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BF511,215概述

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 20V 30MA SOT23


欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


艾睿:
This BF511,215 JFET transistor from NXP Semiconductors is an uni-polar voltage-controlled device that has a very high input electrical resistance. Its maximum power dissipation is 250 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans JFET N-CH 20V 30mA 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 20V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 20V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  BF511,215  RF FET Transistor, 20 V, 7 mA, 250 mW, SOT-23


RfMW:
Transistors


DeviceMart:
JFET N-CHAN 20V SOT-23


BF511,215中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电流 30 mA

击穿电压 20.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 20 V

测试电流 5 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

额定电压 20 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BF511,215
型号: BF511,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
替代型号BF511,215
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