BLT80,115

BLT80,115图片1
BLT80,115图片2
BLT80,115图片3
BLT80,115图片4
BLT80,115图片5
BLT80,115图片6
BLT80,115图片7
BLT80,115图片8
BLT80,115图片9
BLT80,115图片10
BLT80,115概述

Trans RF BJT NPN 10V 0.25A 2000mW 4Pin3+Tab SC-73 T/R

Look no further than the RF bi-polar junction transistor, developed by Semiconductors, which can offer high radio frequency power compatibility. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.


得捷:
RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.25A 2000mW 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# NXP  BLT80,115  Bipolar - RF Power Transistor, 900 MHz, 900 MHz, 25 hFE, 250 mA


Win Source:
TRANS NPN 10V 250MA SOT223


BLT80,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 2 W

输出功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 10 V

最小电流放大倍数hFE 25 @150mA, 5V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BLT80,115
型号: BLT80,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF BJT NPN 10V 0.25A 2000mW 4Pin3+Tab SC-73 T/R
替代型号BLT80,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLT80,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BLT80

恩智浦

功能相似

BLT80,115和BLT80的区别

BLT80-T

恩智浦

功能相似

BLT80,115和BLT80-T的区别

BLT80T/R

飞利浦

功能相似

BLT80,115和BLT80T/R的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台