Trans RF BJT NPN 10V 0.25A 2000mW 4Pin3+Tab SC-73 T/R
Look no further than the RF bi-polar junction transistor, developed by Semiconductors, which can offer high radio frequency power compatibility. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.
得捷:
RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223
艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.25A 2000mW 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# NXP BLT80,115 Bipolar - RF Power Transistor, 900 MHz, 900 MHz, 25 hFE, 250 mA
Win Source:
TRANS NPN 10V 250MA SOT223
极性 NPN
耗散功率 2 W
输出功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 10 V
最小电流放大倍数hFE 25 @150mA, 5V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BLT80,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BLT80 恩智浦 | 功能相似 | BLT80,115和BLT80的区别 |
BLT80-T 恩智浦 | 功能相似 | BLT80,115和BLT80-T的区别 |
BLT80T/R 飞利浦 | 功能相似 | BLT80,115和BLT80T/R的区别 |