NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
射频双极,Nexperia
得捷:
RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223
欧时:
### 射频双极晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 650mW 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin 3+Tab SC-73 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
Newark:
# NXP BFG541,115 Bipolar - RF Transistor, Wideband, NPN, 15 V, 9 GHz, 650 mW, 120 mA, 120 hFE
DeviceMart:
TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223
Win Source:
TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223
频率 9000 MHz
极性 NPN
耗散功率 650 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
增益 15dB ~ 9dB
最小电流放大倍数hFE 60 @40mA, 8V
额定功率Max 650 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 650 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BFG541,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BFG541 恩智浦 | 功能相似 | BFG541,115和BFG541的区别 |