BFG541,115

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BFG541,115概述

NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

射频双极,Nexperia


得捷:
RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223


欧时:
### 射频双极晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors


艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 650mW 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin 3+Tab SC-73 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Newark:
# NXP  BFG541,115  Bipolar - RF Transistor, Wideband, NPN, 15 V, 9 GHz, 650 mW, 120 mA, 120 hFE


DeviceMart:
TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223


Win Source:
TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223


BFG541,115中文资料参数规格
技术参数

频率 9000 MHz

极性 NPN

耗散功率 650 mW

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 15dB ~ 9dB

最小电流放大倍数hFE 60 @40mA, 8V

额定功率Max 650 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 650 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFG541,115
型号: BFG541,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号BFG541,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BFG541,115

NXP 恩智浦

当前型号

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BFG541

恩智浦

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BFG541,115和BFG541的区别

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