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BUZ31概述

SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

N-Channel 200V 14.5A Tc 95W Tc Through Hole PG-TO220-3

得捷:
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin3+Tab TO-220

BUZ31中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 14.5 A

漏源极电阻 200 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 95 W

阈值电压 3 V

输入电容 1.12 nF

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 14.5 A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 1120pF @25VVds

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 95W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

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型号： BUZ31

描述：SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

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