BUZ31L H概述
INFINEON BUZ31L H 晶体管, MOSFET, N沟道, 13.5 A, 200 V, 0.16 ohm, 5 V, 1.6 V
通孔 N 通道 200 V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO220-3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
欧时:
### Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:
MOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
BUZ31L H中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.16 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 95 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 80 nS
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
额定功率Max 95 W
下降时间 65 nS
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 95W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BUZ31L H
型号： BUZ31L H
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BUZ31L H 晶体管, MOSFET, N沟道, 13.5 A, 200 V, 0.16 ohm, 5 V, 1.6 V