BFG540W/X,115

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BFG540W/X,115概述

Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 0.5W1/2W 4Pin3+Tab CMPAK T/R

RF NPN 15V 120mA 9GHz 500mW 表面贴装型 CMPAK-4


得捷:
RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4


艾睿:
Superior characteristics of this BFG540W/X,115 RF amplifier from NXP Semiconductors make it perfect for operating at higher RF frequency ranges than RF MOSFETS. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin 3+Tab CMPAK T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Newark:
# NXP  BFG540W/X,115  Bipolar - RF Transistor, Wideband, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE


DeviceMart:
TRANS WIDEBAND 9GHZ SOT-343 15V


Win Source:
TRANS WIDEBAND 9GHZ SOT-343 15V


BFG540W/X,115中文资料参数规格
技术参数

频率 9000 MHz

极性 NPN

耗散功率 500 mW

输入电容 2 pF

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 100 @40mA, 8V

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFG540W/X,115
型号: BFG540W/X,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 0.5W1/2W 4Pin3+Tab CMPAK T/R
替代型号BFG540W/X,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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