BZT52H-B75

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BZT52H-B75中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 375 mW

稳压值 75 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123F

外形尺寸

封装 SOD-123F

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BZT52H-B75
型号: BZT52H-B75
制造商: NXP 恩智浦
描述:单齐纳二极管的SOD123F包 Single Zener diodes in a SOD123F package
替代型号BZT52H-B75
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

当前型号

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恩智浦

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