BC860CW,115

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BC860CW,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 420

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BC860CW,115
型号: BC860CW,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BC860CW,115  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 420 hFE
替代型号BC860CW,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC860CW,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

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恩智浦

完全替代

BC860CW,115和BC857CW,115的区别

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