BLL6H0514-25

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BLL6H0514-25中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 20 ns

下降时间 6 ns

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-467

外形尺寸

封装 SOT-467

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BLL6H0514-25
型号: BLL6H0514-25
制造商: NXP 恩智浦
描述:LDMOS驱动器晶体管 LDMOS driver transistor

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