BST52,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 1.3 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
在线购买BST52,115
型号： BST52,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP BST52,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 1000 hFE
替代型号BST52,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BST52,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BST52,135 恩智浦 | 完全替代 | BST52,115和BST52,135的区别 |
BST52TA 美台 | 功能相似 | BST52,115和BST52TA的区别 |