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BCX55,115概述

NXP BCX55,115 单晶体管双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 500 mW, 1 A, 63 hFE

The BCX55 series 1A NPN Medium Power Transistor in a very small leadless surface-mount plastic package.

.: High current

.: Three current gain selections

.: High power dissipation capability

.: Exposed heat-sink for excellent thermal and electrical conductivity

.: AEC-Q101 qualified

BCX55,115中文资料参数规格

技术参数

频率 180 MHz

针脚数 3

正向电压 1.25 V

极性 NPN

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 63 @5mA, 2V

额定功率Max 1.35 W

直流电流增益hFE 63

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BCX55,115

型号： BCX55,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP BCX55,115 单晶体管双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 500 mW, 1 A, 63 hFE

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替代型号BCX55,115

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