BFG591,115

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BFG591,115概述

Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 2000mW 4Pin3+Tab SC-73 T/R

This RF amplifier from Semiconductors is designed to operate in high radio frequency input power situations and is perfect for a variety of applications. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


得捷:
RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223


艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 2000mW 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


DeviceMart:
TRANS NPN 15V 7GHZ SOT-223


Win Source:
TRANS NPN 15V 7GHZ SOT-223


BFG591,115中文资料参数规格
技术参数

频率 7000 MHz

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 13dB ~ 7.5dB

最小电流放大倍数hFE 60 @70mA, 8V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 90

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BFG591,115
型号: BFG591,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 2000mW 4Pin3+Tab SC-73 T/R
替代型号BFG591,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BFG591,115

NXP 恩智浦

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BFG591

恩智浦

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