BCP53-10,115

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BCP53-10,115概述

NXP  BCP53-10,115  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 63 hFE

The BCP53 series 1A PNP Medium Power Transistor with three current gain selections. It offers exposed heat-sink for excellent thermal and electrical conductivity.

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High current
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High power dissipation capability
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Leadless very small SMD plastic package with medium power capability
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BCP56 NPN complement

得捷:
TRANS PNP 80V 1A SOT223


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


富昌:
BCP53 Series 80 V 1 A SMT PNP Silicon Epitaxial Transistor - SOT-223


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Newark:
# NXP  BCP53-10,115  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 63 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT223


BCP53-10,115中文资料参数规格
技术参数

频率 145 MHz

针脚数 4

极性 PNP

耗散功率 650 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 63

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BCP53-10,115
型号: BCP53-10,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BCP53-10,115  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 63 hFE
替代型号BCP53-10,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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完全替代

BCP53-10,115和BCP53-10的区别

BCP53-10T

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