NXP BCP53-10,115 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 63 hFE
The BCP53 series 1A PNP Medium Power Transistor with three current gain selections. It offers exposed heat-sink for excellent thermal and electrical conductivity.
得捷:
TRANS PNP 80V 1A SOT223
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
富昌:
BCP53 Series 80 V 1 A SMT PNP Silicon Epitaxial Transistor - SOT-223
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
Newark:
# NXP BCP53-10,115 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 63 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT223
频率 145 MHz
针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 650 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 63
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCP53-10,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP53-10 恩智浦 | 完全替代 | BCP53-10,115和BCP53-10的区别 |
BCP53-10T 恩智浦 | 完全替代 | BCP53-10,115和BCP53-10T的区别 |