NXP BC856S,115 双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 220 mW, -100 mA, 110 hFE, SOT-363
The is a dual PNP Bipolar Transistor Array in a very small surface-mount plastic package. It is suitable for general-purpose switching and amplification applications.
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- Low collector capacitance
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- Low collector-emitter saturation voltage
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- Closely matched current gain
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- Reduces number of components and board space
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- No mutual interference between the transistors
频率 100 MHz
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 220 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 110
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
宽度 1.35 mm
封装 TSSOP-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 ECL99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC856S,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BC856S,125 恩智浦 | 完全替代 | BC856S,115和BC856S,125的区别 |
BC856BDW1T1G 安森美 | 功能相似 | BC856S,115和BC856BDW1T1G的区别 |
FFB2907A 飞兆/仙童 | 功能相似 | BC856S,115和FFB2907A的区别 |