BC857BV,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-666
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BC857BV,115
型号： BC857BV,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP BC857BV,115 双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-666
替代型号BC857BV,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC857BV,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BC857BV 恩智浦 | 类似代替 | BC857BV,115和BC857BV的区别 |