NXP BCW30,215 单晶体管 双极, 通用, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 150 hFE
Bipolar BJT Transistor PNP 32 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23
得捷:
NOW NEXPERIA BCW30 - SMALL SIGNA
艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP BCW30,215 Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 150 hFE
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 215 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 150
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCW30,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCW30,235 恩智浦 | 完全替代 | BCW30,215和BCW30,235的区别 |
BCW30LT1G 安森美 | 功能相似 | BCW30,215和BCW30LT1G的区别 |