晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE
The BFG520 is a NPN silicon epitaxial planar Wideband Transistor encapsulated in a plastic envelope. The device is intended for applications in the RF frontend in the GHz range, such as analogue and digital cellular telephones, cordless telephones CT1, CT2, DECT, radar detectors, pagers and satellite TV tuners SATV and repeater amplifiers in fibre-optic systems.
频率 9000 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 60 @20mA, 6V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
高度 1 mm
封装 TO-253-4
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通信与网络, 工业, 射频通信, 电源管理, 光纤
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BFG520,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BFG520,235 恩智浦 | 完全替代 | BFG520,215和BFG520,235的区别 |
BFG520 恩智浦 | 功能相似 | BFG520,215和BFG520的区别 |