BST61,115

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BST61,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V

额定功率Max 1.3 W

直流电流增益hFE 2000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BST61,115
型号: BST61,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:BST61 系列 60 V 1 A 表面贴装 PNP 达林顿晶体管 - SOT-89-3
替代型号BST61,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BST61,115

NXP 恩智浦

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