VISHAY BPW85 光电三极管,T1
850nm 顶视图 径向
得捷:
PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1080 NM
贸泽:
光电晶体管 T-1 450 to 1080nm +/-25 deg
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1
Allied Electronics:
BPW85 +/-25 IR+Visible Light Phototransistor, Through Hole 2-Pin 3mmT-1package
富昌:
850 nm ± 25° 的半灵敏度角度 T-1 通孔 硅 NPN 光电晶体管
Chip1Stop:
Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1
Verical:
Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1
Newark:
# VISHAY BPW85 Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 3mm
通道数 1
针脚数 2
波长 850 nm
视角 50°
峰值波长 850 nm
极性 NPN
耗散功率 100 mW
功耗 100 mW
上升时间 2 µs
击穿电压集电极-发射极 70 V
额定功率Max 150 mW
下降时间 2.3 µs
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
高度 4.5 mm
封装 T-1
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Each
制造应用 Sensing & Instrumentation, 传感与仪器
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free