BFU610 系列 5.5 V 26 dB 增益 NPN 宽带 硅 射频 晶体管 - SOT-343F-4
BFU610F NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. 得捷:
RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, 90 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin3+Tab DFP T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 5.5V 0.01A 4-Pin3+Tab DFP T/R
Chip1Stop:
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin3+Tab DFP T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin3+Tab DFP T/R
Newark:
# NXP BFU610F,115 Bipolar - RF Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 2 mA, 90 hFE
RfMW:
Transistor
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
频率 15000 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 136 mW
输入电容 0.227 pF
击穿电压集电极-发射极 5.5 V
增益 13.5dB ~ 23.5dB
最小电流放大倍数hFE 90 @1mA, 2V
额定功率Max 136 mW
直流电流增益hFE 90
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 136 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
封装 SOT-343
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BFU610F,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BFG403W,115 恩智浦 | 类似代替 | BFU610F,115和BFG403W,115的区别 |
BFG410W,115 恩智浦 | 类似代替 | BFU610F,115和BFG410W,115的区别 |