BF861C,215

BF861C,215图片1
BF861C,215图片2
BF861C,215图片3
BF861C,215图片4
BF861C,215图片5
BF861C,215图片6
BF861C,215图片7
BF861C,215图片8
BF861C,215图片9
BF861C,215图片10
BF861C,215图片11
BF861C,215图片12
BF861C,215概述

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,


得捷:
RF MOSFET N-CH JFET TO236AB


欧时:
NXP BF861C,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 12 → 25mA, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装


贸泽:
RF JFET Transistors JFET N-CH 25V 10mA


艾睿:
The BF861C,215 JFET transistor, developed by NXP Semiconductors, can give you a high level of input resistance, perfect for controlling input voltage. Its maximum power dissipation is 250 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  BF861C,215  RF FET Transistor, 25 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23


RfMW:
Transistors


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 10MA SOT23


Win Source:
JFET N-CH 25V 25MA SOT23


BF861C,215中文资料参数规格
技术参数

额定电流 25 mA

击穿电压 -25.0 V

针脚数 3

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

栅源击穿电压 25 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BF861C,215
型号: BF861C,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
替代型号BF861C,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BF861C,215

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BF861B,215

恩智浦

类似代替

BF861C,215和BF861B,215的区别

BF861A,215

恩智浦

类似代替

BF861C,215和BF861A,215的区别

BF861A

恩智浦

功能相似

BF861C,215和BF861A的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台