SC-70 PNP 65V 0.1A
Bipolar BJT Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
得捷:
NEXPERIA BC856W - SMALL SIGNAL B
艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 125
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC856W,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BC856AW,135 恩智浦 | 完全替代 | BC856W,115和BC856AW,135的区别 |
BC856AW,115 恩智浦 | 类似代替 | BC856W,115和BC856AW,115的区别 |