INFINEON BSP135H6327XTSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V
SIPMOS® N 通道 MOSFET
立创商城:
N沟道 600V 120mA
得捷:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP135H6327XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# INFINEON BSP135H6327XTSA1 Power MOSFET, N Channel, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
额定功率 1.8 W
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 0.12A
上升时间 5.6 ns
输入电容Ciss 146pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 182 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Communications & Networking, 便携式器材, 车用, Onboard charger, 通信与网络, Automotive, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17