TSDSON P-CH 30V 39.6A
表面贴装型 P 通道 30 V 9A（Ta），39.6A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
得捷:
MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
欧时:
Infineon MOSFET BSZ180P03NS3GATMA1
贸泽:
MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A 8-Pin TSDSON EP
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
额定功率 40 W
通道数 1
漏源极电阻 13.5 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 40 W
阈值电压 3.1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 39.6A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 2220pF @15VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 40W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅