BSR302NL6327HTSA1

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BSR302NL6327HTSA1概述

Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR302NL6327HTSA1, 3.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-346 SC-59封装

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
.
* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

得捷:
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59


欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR302NL6327HTSA1, 3.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-346 SC-59封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 3.7A SOT-23-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59


BSR302NL6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.018 Ω

极性 N-CH

耗散功率 500 mW

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.7A

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 564pF @15VVds

下降时间 2.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

BSR302NL6327HTSA1引脚图与封装图
BSR302NL6327HTSA1引脚图
BSR302NL6327HTSA1封装焊盘图
在线购买BSR302NL6327HTSA1
型号: BSR302NL6327HTSA1
描述:Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR302NL6327HTSA1, 3.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-346 SC-59封装

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