BSZ120P03NS3EGATMA1

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BSZ120P03NS3EGATMA1概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V

表面贴装型 P 通道 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),52W(Tc) PG-TSDSON-8


得捷:
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON


贸泽:
MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin TSDSON EP


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8


BSZ120P03NS3EGATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 9 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 52 W

阈值电压 3.1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3360pF @15VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 52W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TSDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: BSZ120P03NS3EGATMA1
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V

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