Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
SIPMOS® N 通道 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS138WH6327XTSA1, 280 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 280 mA, 60 V, 2.1 ohm, 10 V, 1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
额定功率 0.5 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 3.5 Ω
极性 N-CH
耗散功率 500 mW
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 0.28A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 32pF @25VVds
下降时间 8.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free