BSS138WH6327XTSA1

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BSS138WH6327XTSA1概述

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

SIPMOS® N 通道 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS138WH6327XTSA1, 280 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 280mA SOT-323-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 280 mA, 60 V, 2.1 ohm, 10 V, 1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323


BSS138WH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 3.5 Ω

极性 N-CH

耗散功率 500 mW

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 0.28A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 32pF @25VVds

下降时间 8.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSS138WH6327XTSA1
型号: BSS138WH6327XTSA1
描述:Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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