BSP297H6327XTSA1

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

SIPMOS® N 通道 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

得捷:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

欧时:
### Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 660 mA, 200 V, 1 ohm, 10 V, 1.4 V

艾睿:
Thanks to Infineon Technologies, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the BSP297H6327XTSA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 1800 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes sipmos technology.

安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin SOT-223 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223

Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223