BSO110N03MSGXUMA1

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BSO110N03MSGXUMA1概述

INFINEON  BSO110N03MSGXUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0092 ohm, 10 V, 2 V

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


得捷:
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSO110N03MSGXUMA1, 12.1 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin DSO T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin DSO T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 30 V, 0.0092 ohm, 10 V, 2 V


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin DSO T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO


BSO110N03MSGXUMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.56 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0092 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.56 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 1500pF @15VVds

额定功率Max 1.56 W

下降时间 4.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.56W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 PG-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger, Mainboard, VRD/VRM

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

BSO110N03MSGXUMA1引脚图与封装图
BSO110N03MSGXUMA1引脚图
BSO110N03MSGXUMA1封装焊盘图
在线购买BSO110N03MSGXUMA1
型号: BSO110N03MSGXUMA1
描述:INFINEON  BSO110N03MSGXUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0092 ohm, 10 V, 2 V
替代型号BSO110N03MSGXUMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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