









INFINEON BSO110N03MSGXUMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0092 ohm, 10 V, 2 V
I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSO110N03MSGXUMA1, 12.1 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin DSO T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin DSO T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 30 V, 0.0092 ohm, 10 V, 2 V
罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin DSO T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
额定功率 1.56 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0092 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.56 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 4.4 ns
输入电容Ciss 1500pF @15VVds
额定功率Max 1.56 W
下降时间 4.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-DSO-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 PG-DSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger, Mainboard, VRD/VRM
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSO110N03MSGXUMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSO040N03MSGXUMA1 英飞凌 | 类似代替 | BSO110N03MSGXUMA1和BSO040N03MSGXUMA1的区别 |
BSO130N03MSGXUMA1 英飞凌 | 类似代替 | BSO110N03MSGXUMA1和BSO130N03MSGXUMA1的区别 |
SI4384DY-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | BSO110N03MSGXUMA1和SI4384DY-T1-E3的区别 |