BSC0906NSATMA1

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BSC0906NSATMA1概述

INFINEON  BSC0906NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V

表面贴装型 N 通道 30 V 18A(Ta),63A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8-6


欧时:
Infineon BSC0906NSATMA1


得捷:
MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R


Newark:
# INFINEON  BSC0906NSATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 63 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON


BSC0906NSATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 30 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0038 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 3.8 ns

输入电容Ciss 870pF @15VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Mainboard, VRD/VRM, Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSC0906NSATMA1
型号: BSC0906NSATMA1
描述:INFINEON  BSC0906NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
替代型号BSC0906NSATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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