INFINEON BSC0906NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
表面贴装型 N 通道 30 V 18A(Ta),63A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8-6
欧时:
Infineon BSC0906NSATMA1
得捷:
MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC0906NSATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 63 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
额定功率 30 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 3.8 ns
输入电容Ciss 870pF @15VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Mainboard, VRD/VRM, Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSC0906NSATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMS8027S 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSC0906NSATMA1和FDMS8027S的区别 |