INFINEON BSR316PH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -360 mA, -100 V, 1.3 ohm, -10 V, -1.5 V 新
BSR316P H6327 , SP001101034
得捷:
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
欧时:
MOSFET P-Ch 100V 0.36A 1.8R SIPMOS SC-59
贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59; SIPMOS™
Newark:
# INFINEON BSR316PH6327XTSA1 MOSFET, P-CH, -100V, -0.36A, SC-59-3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.3 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 1.5 V
输入电容 124 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 0.36A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 165pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSR316PH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSR316PL6327HTSA1 英飞凌 | 类似代替 | BSR316PH6327XTSA1和BSR316PL6327HTSA1的区别 |