BSP171PH6327XTSA1

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BSP171PH6327XTSA1概述

60V,-1.9A P沟道功率MOSFET

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)

· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准


得捷:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171PH6327XTSA1, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装


立创商城:
P沟道 60V 1.9A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH -60V -1.9A 4-Pin SOT-223 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


力源芯城:
-60V,-1.9A P沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223


BSP171PH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.8 W

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 0.21 Ω

极性 P-CH

耗散功率 1.8 W

阈值电压 2 V

输入电容 365 pF

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 1.9A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 460pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 87 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSP171PH6327XTSA1
型号: BSP171PH6327XTSA1
描述:60V,-1.9A P沟道功率MOSFET

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