60V,-1.9A P沟道功率MOSFET
SIPMOS® P 通道 MOSFET
**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
得捷:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171PH6327XTSA1, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
立创商城:
P沟道 60V 1.9A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH -60V -1.9A 4-Pin SOT-223 T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
力源芯城:
-60V,-1.9A P沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
额定功率 1.8 W
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.21 Ω
极性 P-CH
耗散功率 1.8 W
阈值电压 2 V
输入电容 365 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 1.9A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 460pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 87 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
长度 6.7 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free