BUK9512-55B

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BUK9512-55B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 75.0 A

极性 N-CH

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 79A

输入电容Ciss 3693pF @25VVds

额定功率Max 157 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUK9512-55B
型号: BUK9512-55B
制造商: NXP 恩智浦
描述:的TrenchMOS ™逻辑电平FET TrenchMOS⑩ logic level FET
替代型号BUK9512-55B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUK9512-55B

NXP 恩智浦

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BUK9512-55B,127

恩智浦

完全替代

BUK9512-55B和BUK9512-55B,127的区别

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