INFINEON BSS126H6327XTSA2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V
SIPMOS® N 通道 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS126H6327XTSA2, 17 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# INFINEON BSS126H6327XTSA2 Power MOSFET, N Channel, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
额定功率 0.5 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 280 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 0.021A
上升时间 9.7 ns
正向电压Max 1.2 V
输入电容Ciss 28pF @25VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 115 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Communications & Networking, 电源管理, 便携式器材, Consumer Electronics, Onboard charger, 通信与网络, Power Management, Automotive, 消费电子产品, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS126H6327XTSA2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS126H6906XTSA1 英飞凌 | 类似代替 | BSS126H6327XTSA2和BSS126H6906XTSA1的区别 |