Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282ZE3180AATMA2, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 D2PAK TO-263封装
TEMPFET™ MOSFET,带热控开关
Infineon TEMPFET™ 是逻辑电平 N 通道功率 MOSFET,带集成片上热传感器,该传感器可在芯片温度超过 160°C 时操作。 温度感应闸流的阳极和阴极可从功率 MOSFET 进行访问和隔离。
得捷:
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
欧时:
Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282ZE3180AATMA2, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 D2PAK TO-263封装
立创商城:
N沟道 49V 80A
贸泽:
MOSFET N-Ch 49V 36A D2PAK-6
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 49 V, 0.0058 ohm, 10 V, 1.6 V
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this BTS282ZE3180AATMA2 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 300000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 175 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin TO-263 T/R
TME:
IC: power switch; low-side switch; 36A; Channels:1; N-Channel; SMD
Verical:
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 8-Pin7+Tab D2PAK T/R
针脚数 7
漏源极电阻 0.0058 Ω
极性 N-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 49 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 3850pF @25VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TO-263-7
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 MOSFET with temperature sensor
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BTS282ZE3180AATMA2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BTS282Z E3180A 英飞凌 | 功能相似 | BTS282ZE3180AATMA2和BTS282Z E3180A的区别 |