BSC057N03LSGATMA1

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BSC057N03LSGATMA1概述

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N03LSGATMA1, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


得捷:
MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N03LSGATMA1, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装


立创商城:
N沟道 30V 71A 17A


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 45W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8


BSC057N03LSGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 45 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0048 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 1 V

输入电容 1800 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 3.6 ns

输入电容Ciss 1800pF @15VVds

下降时间 3.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.49 mm

宽度 5.49 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger, VRD/VRM, Mainboard, 电源供给, 直流/直流转换器

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSC057N03LSGATMA1
型号: BSC057N03LSGATMA1
描述:Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N03LSGATMA1, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
替代型号BSC057N03LSGATMA1
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