Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N03LSGATMA1, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N03LSGATMA1, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
立创商城:
N沟道 30V 71A 17A
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 45W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
额定功率 45 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0048 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 1 V
输入电容 1800 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 3.6 ns
输入电容Ciss 1800pF @15VVds
下降时间 3.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.49 mm
宽度 5.49 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger, VRD/VRM, Mainboard, 电源供给, 直流/直流转换器
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BSC057N03LSGATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC080N03LSGATMA1 英飞凌 | 类似代替 | BSC057N03LSGATMA1和BSC080N03LSGATMA1的区别 |
BSC0909NS 英飞凌 | 类似代替 | BSC057N03LSGATMA1和BSC0909NS的区别 |
BSC0909NSATMA1 英飞凌 | 类似代替 | BSC057N03LSGATMA1和BSC0909NSATMA1的区别 |