INFINEON BSC046N10NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.7 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC046N10NS3GATMA1, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 17A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin TDSON EP
富昌:
N-Channel 100 V 4.6 mOhm OptiMOS™3 Power-MOSFET - PG-TDSON-8
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 17A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.7 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
额定功率 156 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 4500pF @50VVds
额定功率Max 156 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 6.1 mm
宽度 5.35 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Uninterruptable power supplies UPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
