INFINEON BSC027N04LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V 新
I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC027N04LSGATMA1, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, PG-TDSON, 表面安装
艾睿:
Compared to traditional transistors, BSC027N04LSGATMA1 power MOSFETs, developed by Infineon Technologies, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This device utilizes optimos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC027N04LSGATMA1 MOSFET, N-CH, 40V, 100A, PG-TDSON-8 New
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
额定功率 83 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 2 V
输入电容 5100 pF
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 5.6 ns
输入电容Ciss 5100pF @20VVds
下降时间 6.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Or-ing switches, Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSC027N04LSGATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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