BSC886N03LSGATMA1

BSC886N03LSGATMA1图片1
BSC886N03LSGATMA1图片2
BSC886N03LSGATMA1图片3
BSC886N03LSGATMA1图片4
BSC886N03LSGATMA1概述

INFINEON  BSC886N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.2 V 新

BSC886N03LS G, SP000475950


得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON


立创商城:
N沟道 30V 13A 65A


贸泽:
MOSFET LV POWER MOS


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 65 A, 0.005 ohm, PG-TDSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R


Newark:
# INFINEON  BSC886N03LSGATMA1  MOSFET, N-CH, 30V, 65A, PG-TDSON-8 New


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8


BSC886N03LSGATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 N-CH

耗散功率 39 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 2100pF @15VVds

额定功率Max 39 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 39W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSC886N03LSGATMA1
型号: BSC886N03LSGATMA1
描述:INFINEON  BSC886N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.2 V 新

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台