BSO150N03参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSO150N03概述

OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 7.6A 1.4W 表面贴装型 PG-DSO-8

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A 8-Pin DSO

罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A 8-Pin DSO

BSO150N03中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 9.10 A

极性 N-CH

输入电容 1.89 nF

栅电荷 15.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 9.10 A

输入电容Ciss 1890pF @15VVds

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

封装 PG-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSO150N03

型号： BSO150N03

描述：OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor

替代型号BSO150N03

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BSO150N03 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
FDC655BN 飞兆/仙童	功能相似	BSO150N03和FDC655BN的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BSO150N03

Infineon 英飞凌

当前型号

FDC655BN

飞兆/仙童

功能相似