BSO303P H

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BSO303P H概述

Trans MOSFET P-CH 30V 7A Automotive 8Pin DSO Dry

Summary of Features:

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Enhancement mode
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Normal level, logic level or super logic level
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Avalanche rated
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Pb-free lead plating; RoHS compliant

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 7A Automotive 8-Pin DSO Dry


Win Source:
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO


DeviceMart:
MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8


BSO303P H中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 2678pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 39 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 PG-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSO303P H
型号: BSO303P H
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET P-CH 30V 7A Automotive 8Pin DSO Dry
替代型号BSO303P H
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSO303P H

Infineon 英飞凌

当前型号

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BSO303PNTMA1

英飞凌

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