BSS225H6327FTSA1

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BSS225H6327FTSA1概述

Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS225H6327FTSA1, 90 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-89封装

SIPMOS® N 通道 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS225H6327FTSA1, 90 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-89封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 90mA SOT-89-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 mA, 600 V, 28 ohm, 10 V, 1.9 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A 3-Pin SOT-89 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


BSS225H6327FTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 28 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 0.09A

上升时间 38 ns

输入电容Ciss 131pF @25VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 41 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买BSS225H6327FTSA1
型号: BSS225H6327FTSA1
描述:Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS225H6327FTSA1, 90 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-89封装

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