Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS225H6327FTSA1, 90 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-89封装
SIPMOS® N 通道 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS225H6327FTSA1, 90 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-89封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 90mA SOT-89-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 mA, 600 V, 28 ohm, 10 V, 1.9 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A 3-Pin SOT-89 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
额定功率 1 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 28 Ω
极性 N-CH
耗散功率 1 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 0.09A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 131pF @25VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 41 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅