INFINEON BSC036NE7NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V
表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8-7
得捷:
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
欧时:
Infineon MOSFET BSC036NE7NS3 G
立创商城:
N沟道 75V 100A
贸泽:
MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC036NE7NS3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
额定功率 156 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0029 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
阈值电压 3.1 V
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 4400pF @37.5VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Audio, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17