Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO200P03SHXUMA1, 7.4 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
立创商城:
P沟道 30V 7.4A
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO200P03SHXUMA1, 7.4 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this BSO200P03SHXUMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 15600 mW. This device is made with optimos technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO Dry
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.4A; 1.56W; PG-DSO-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A Automotive 8-Pin DSO T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
额定功率 1.56 W
极性 P-CH
耗散功率 2.36 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7.4A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 2330pF @25VVds
额定功率Max 1.56 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-DSO-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 PG-DSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSO200P03SHXUMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSO200P03SNTMA1 英飞凌 | 类似代替 | BSO200P03SHXUMA1和BSO200P03SNTMA1的区别 |
BSO200P03SH 英飞凌 | 功能相似 | BSO200P03SHXUMA1和BSO200P03SH的区别 |