BSC059N03SG

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BSC059N03SG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 17.5 A

输入电容 2.67 nF

栅电荷 21.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 73.0 A

输入电容Ciss 2670pF @15VVds

额定功率Max 48 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TDSON-8

外形尺寸

封装 TDSON-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSC059N03SG
型号: BSC059N03SG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-Transistor
替代型号BSC059N03SG
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